• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
当前位置：首页
IPB015N04L G /MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB015N04L G的规格信息
IPB015N04L G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:1.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:346 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:60 S

下降时间:21 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:108 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:IPB015N04LGATMA1 IPB15N4LGXT SP000387948

单位重量:4 g

供应商IPB015N04L G
IPB015N04L G的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司IPB015N04L G华强广场C座18J0755-27381274
18098996457		董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB015N04L G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IPB015N04L Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPB015N04L G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司IPB015N04L G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPB015N04L G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPB015N04L G航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城IPB015N04L G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPB015N04L G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城IPB015N04L G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司IPB015N04L G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPB015N04L G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳诚思涵科技有限公司IPB015N04L G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司IPB015N04L G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市拓亿芯电子有限公司IPB015N04L G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077		刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPB015N04L G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IPB015N04L G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司IPB015N04L G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPB015N04L G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司IPB015N04L G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
IPB015N04L G及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
IPB015N04L GMOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO440.20 Kbytes共9页IPB015N04L G的PDF下载地址无
IPB015N04L G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tj) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 200uA 漏源导通电阻：1.5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO443.18 Kbytes共9页IPB015N04L G的PDF下载地址无
IPB015N04L G的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Avnet的LOGO
Avnet		IPB015N04L GInfineon Technologies AG1000+:￥12.12
2000+:￥11.51
5000+:￥11.08
10000+:￥10.73
25000+:￥10.391+:￥19.3
10+:￥15.49
100+:￥14.16
250+:￥12.84
500+:￥12.84
1000+:￥12.25
2000+:￥11.79
5000+:￥11.44
10000+:￥11.311+:￥23.81
10+:￥21.31
25+:￥19.171000+:￥18.0301
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPB015N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 120A1000+:￥12.12
2000+:￥11.51
5000+:￥11.08
10000+:￥10.73
25000+:￥10.39
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IPB015N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 120A1000+:￥12.12
2000+:￥11.51
5000+:￥11.08
10000+:￥10.73
25000+:￥10.391+:￥19.3
10+:￥15.49
100+:￥14.16
250+:￥12.84
500+:￥12.84
1000+:￥12.25
2000+:￥11.79
5000+:￥11.44
10000+:￥11.311+:￥23.81
10+:￥21.31
25+:￥19.17
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPB015N04L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
1,000:¥15.7522
2,000:查看
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPB015N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 120A1000+:￥12.12
2000+:￥11.51
5000+:￥11.08
10000+:￥10.73
25000+:￥10.391+:￥19.3
10+:￥15.49
100+:￥14.16
250+:￥12.84
500+:￥12.84
1000+:￥12.25
2000+:￥11.79
5000+:￥11.44
10000+:￥11.31
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IPB015N04L GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tj) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 200uA 漏源导通电阻：1.5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道1+:￥40.64
10+:￥36.39
30+:￥35.72
100+:￥34.71
IPB015N04L G的相关型号
加为收藏 粤ICP备16009799号